硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺 _专利

硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺

关键词硅衬底 , 键合技术 , 金刚石膜 , 制备工艺 |2010-12-15 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺公开号1272557公开日2000.11.08主分类号C23C16/27&

名称	硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺
公开号	1272557	公开日	2000.11.08
主分类号	C23C16/27	分类号	C23C16/27;C23C16/02;C23C16/511;C23C16/513
申请号	99127573.X
分案原申请号		申请日	1999.12.30
颁证日		优先权
申请人	吉林大学	地址	130012吉林省长春市朝阳区前卫路10号
发明人	顾长志; 金曾孙	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	吉林大学专利事务所	代理人
摘要	本发明的硅衬底上适于键合技术的金刚石膜的制备工艺，包括前处理—形成等离子体球—调整压力—生长金刚石膜—后处理的过程。将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研；之后在Ｈ#-[２]气氛中启动微波形成等离子体球；再按顺序调整ＣＨ#-[４]与Ｈ#-[２]比例、微波功率、气压和温度；最后在低气压下生长金刚石膜；后处理是在硅衬底上加负偏压，保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀、品质好、消除了内应力，完全适合于硅片键合技术要求。

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