纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺 _专利

纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺

关键词纳米 , 引晶法 , 选择性 , 生长 , 金刚石膜|2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺公开号1235206公开日1999.11.17主分类号C23C16/26&nb

名称	纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺
公开号	1235206	公开日	1999.11.17
主分类号	C23C16/26	分类号	C23C16/26
申请号	99104646.3
分案原申请号		申请日	1999.05.08
颁证日		优先权
申请人	吉林大学	地址	130012吉林省长春市朝阳区前卫路10号
发明人	刘洪武; 高春晓; 李迅; 王成新; 邹广田	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	吉林大学专利事务所	代理人	王恩远; 崔丽娟
摘要	本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Si#-[3] N#-[4]或Mo，其表面蒸镀SiO#-[2]或Mo作掩膜，经光刻形成所需图形。再在纳米金刚石微粉的胶体溶液中引晶。去掩膜后用热灯丝ＣＶＤ方法在有晶种的区域生长金刚石膜。本发明的工艺，选择比高、金刚石膜生长速度快、图形完整、对衬底无损伤、可在多种衬底上实现大面积均匀的选择性生长，适于在微电子领域广泛应用。

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