摘要 名称间隔温差法合成0.5~1mm金刚石单晶的组装方法公开号1177520公开日1998.04.01主分类号B01J3/0
名称 | 间隔温差法合成0.5~1mm金刚石单晶的组装方法 | ||
公开号 | 1177520 | 公开日 | 1998.04.01 |
主分类号 | B01J3/06 | 分类号 | B01J3/06 |
申请号 | 96113124.1 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1996.09.26 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 方啸虎 | 地址 | 311100浙江省余杭市(临平)余杭市科委翟中平收 |
发明人 | 方啸虎 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 余杭中平专利事务所 | 代理人 | 翟中平 |
摘要 | 本发明属晶体生长制造领域采用间隔温差法(插入温差法)让其有更多的生长中心,生长出粗粒度主要峰值在0.5~1mm的单晶金刚石。其组装方法是:2~6层小触媒立装在含石墨片的叶蜡石方块腔体内,其含有小触媒的石墨层间由石墨片间隔,小触媒间的温差为20~30℃,小触媒形状为□状或丝状或球状且俯视呈放射性排列或平行状排列或同心圆状排列或有规律的排列,小触媒间的间距为等距或不等距。 |