金刚石单晶薄膜的制造方法 _专利

金刚石单晶薄膜的制造方法

关键词金刚石 , 单晶薄膜|2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称金刚石单晶薄膜的制造方法公开号1096548公开日1994.12.21主分类号C23C16/26

名称	金刚石单晶薄膜的制造方法
公开号	1096548	公开日	1994.12.21
主分类号	C23C16/26	分类号	C23C16/26;C23C16/56
申请号	93112459.X
分案原申请号		申请日	1993.06.17
颁证日		优先权
申请人	上海交通大学	地址	200030上海市华山路1954号
发明人	张志明; 李胜华; 蔡琪玉; 闵乃本	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	上海交通大学专利事务所	代理人	罗荫培
摘要	金刚石单晶薄膜的制造方法，它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石单晶薄膜制造方法。在以氢气和丙酮为反应气体，用微波等离子体ＣＶＤ或热丝ＣＶＤ在＜１１１＞取向的金刚石衬底上进行同质外延过程中，采用在反应气体中添加适量氧气和惰性气体，同时对衬底进行研磨处理的工艺，结果能得到平整光滑的，结晶完整性好的＜１１１＞取向同质外延金刚石单晶薄膜。

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