名称 | 具有很高热导率的单晶金刚石 | ||
公开号 | 1052340 | 公开日 | 1991.06.19 |
主分类号 | C30B29/04 | 分类号 | C30B29/04;C01B31/06;B01J3/06 |
申请号 | 90109930.9 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1990.12.11 | |
颁证日 | 优先权 | 32]1989.12.11[33]US[31]448,469;[32]1990.6.11[33]US | |
申请人 | 通用电气公司 | 地址 | 美国纽约州 |
发明人 | 托马斯·理查德·安东尼; 威廉·弗兰克·班霍尔策; 詹 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 孟八一; 刘元金 |
摘要 | 已发现由同位素纯碳-12或碳-13组成的单晶金刚石具有的热导率高于以往知道的任何物质的热导率,一般至少比天然ⅡA型金刚石高40%。这种金刚石可通过以下方法制备,包括把高同位素纯度的金刚石磨碎,被磨堆的金刚石是用同位素纯的烃与氢混合并进行低压化学气相沉积而获得的,接着再把这种磨碎的金刚石在高压条件下转变成单晶金刚石。 |