申请人:北京科技大学
发明人:何新波 潘彦鹏 任淑彬 吴茂 张忍 曲选辉
摘要: 本发明属于粉末冶金技术领域,涉及一种双镀层金刚石粉末的制备方法,采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的WC用来改善金刚石与铜的润湿性,然后采用化学镀覆方法持续在WC层表面镀铜,通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度,从而制备出含铜体积分数为30~50vol.%的双镀层Cu‑WC‑Diamond粉末。该粉末可直接压制成形(Diamond/Cu)复合材料零部件,实现了复杂形状金属基复合材料零部件的近净成形。本发明的优点在于可通过控制镀铜层厚度制备Cu‑WC‑Diamond粉末,而制备的Cu‑WC‑Diamond粉末的镀铜量即为压制该粉末成形后的Diamond/Cu复合材料的含铜量,因此制备的复合材料金刚石分布均匀,结合强度高,性能优异。 主权利要求:1.一种双镀层金刚石粉末的制备方法,其特征在于:采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的WC用来改善金刚石与铜的润湿性,然后采用化学镀覆方法持续在WC层表面镀铜,通过调整镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度,从而制备出含铜体积分数为30~50vol.%的双镀层Cu-WC-Diamond粉末;具体工艺为:1)将经过筛分的金刚石粉末、WO3粉末以及混合盐NaCl-KCl,通过机械混料机混合均匀,然后在通Ar气的快速升温管式电炉中进行反应烧结,在高温下使熔盐中的WO3粉末与表面石墨化的金刚石反应形成WC层;混合盐摩尔比NaCl:KCl=1:1;2)随炉冷却后,将得到的产物进行超声酒精清洗筛分出镀覆WC层的金刚石粉体;3)在镀覆WC层的金刚石粉体表面进行化学镀铜,镀铜过程如下:将金刚石粉体置于浓度为30g/L的SnCl2去离子水溶液中进行表面敏化,然后置于浓度为0.25g/L的PdCl2去离子水溶液中进行表面活化,最后在配制好的硫酸铜镀液中进行化学镀铜。
2.根据权利要求1所述的双镀层金刚石粉末的制备方法,其特征在于:步骤3)中硫酸铜镀液配方为:CuSO4·5H2O(15g/L),37%HCHO水溶液(14ml/L),EDTA(14.5g/L),C4O6H4KNa(14g/L),二联吡啶(0.02g/L),亚铁氰化钾(0.01g/L);镀液的酸碱度控制在PH>11,反应温度控制在43±0.5℃;通过控制硫酸铜镀液的用量制备出含铜体积分数不同的双镀层Cu-WC-Diamond粉末。
3.根据权利要求1所述的双镀层金刚石粉末的制备方法,其特征在于:步骤1)所述金刚石粉的晶型度为MBD4~MBD12,平均粒度为80~120μm;金刚石粉末与WO3粉末的摩尔比为10:1~3,金刚石粉末与混合盐的质量比为1:3~5,混粉时间为0.5~3h,粉末装载量为53~73vol.%。
4.根据权利要求1所述的所述的双镀层金刚石粉末的制备方法,其特征在于:步骤1)所述反应烧结,烧结温度为900℃~1000℃,时间为0.5~2h。
5.根据权利要求2所述的所述的双镀层金刚石粉末的制备方法,其特征在于:硫酸铜镀液的用量是0.286~0.668L/g,镀覆时间是1~6h;双镀层Cu-WC-Diamond粉末含铜体积分数为30~50vol.%。