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　　申请号：201510920190.3
　　申请人：中山大学
　　发明人：张彦峰 李芸霄 陈钰杰 王易 刘林 余思远

　　摘要：本发明涉及一种金刚石微透镜阵列及其制备方法，其中所述制备方法包括以下步骤：a）在金刚石衬底上通过转移或生长的方法覆盖一层硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一层光刻胶；c）使用三维光刻胶曝光法或热熔法产生光刻胶的微透镜阵列；d）根据所需制备的微透镜高度与直径的比值，分别确定对硬掩膜和金刚石衬底进行等离子体刻蚀的等离子体刻蚀参数，然后按照确定的等离子体刻蚀参数对硬掩膜层和金刚石衬底进行等离子体刻蚀，得到金刚石微透镜阵列。本发明提供的制备方法能够制备出微透镜高度与直径及其比值任意可调的金刚石微透镜阵列。 　　主权利要求：1.一种金刚石微透镜阵列制备方法，其特征在于：包括以下步骤：a）在金刚石衬底上通过转移或生长的方法覆盖一层硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一层光刻胶；c）使用三维光刻胶曝光法或热熔法产生光刻胶的微透镜阵列；d）根据所需制备的微透镜高度与直径的比值，分别确定对硬掩膜和金刚石衬底进行等离子体刻蚀的等离子体刻蚀参数，然后按照确定的等离子体刻蚀参数对硬掩膜层和金刚石衬底进行等离子体刻蚀，得到金刚石微透镜阵列。
　　2.根据权利要求1所述的金刚石微透镜阵列制备方法，其特征在于：所述在硬掩膜上覆盖一层光刻胶后，先对光刻胶进行烘烤，然后进行步骤c）。
　　3.根据权利要求1所述的金刚石微透镜阵列制备方法，其特征在于：所述等离子体刻蚀参数包括等离子体刻蚀的气体组分、流量、气压和功率。
　　4.根据权利要求1~3任一项所述的金刚石微透镜阵列制备方法，其特征在于：所述硬掩膜为硅、氧化硅或者氮化硅中任一种。
　　5.根据权利要求4所述的金刚石微透镜制备方法，其特征在于：所述金刚石衬底为单晶金刚石、多晶金刚石、非晶金刚石、微米晶金刚石和纳米晶金刚石中任一种。
　　6.一种金刚石微透镜阵列，其特征在于：使用权利要求1~5任一项所述的制备方法制备而得。
　　7.根据权利要求6所述的金刚石微透镜阵列，其特征在于：所述金刚石微透镜阵列的微透镜直径在1微米至1毫米之间。
　　8.根据权利要求6所述的金刚石微透镜阵列，其特征在于：所述金刚石微透镜阵列的微透镜的高度为直径长度的1%到400%。