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　　申请号：201510863881.4
　　申请人：西北工业大学
　　发明人：刘永胜 赵志峰 张青 成来飞
　　摘要：本发明涉及一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，采用一次成型大粒径金刚石预制体与CVI工艺结合的方法，制得Diamond/SiC复合材料。采用该方法提高了复合材料中金刚石的粒径和体积含量，从而有效的提高了复合材料的热导率。使得热导率较之流延结合CVI方法制备的复合材料提高约30％。不仅如此，该方法生产工艺简单、可控，可用于工业化生产。 　　主权利要求：1.一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将56％～66％质量分数的金刚石粉料、0.35％～1.38％质量份数的防沉增稠剂、3.5％～4.2％质量份数的聚乙烯醇缩丁醛和30.3％～38.3％质量份数的溶剂混合球磨后得到浆料；所述溶剂为1∶1质量比的无水乙醇和丁酮的混合溶剂；所述各组份的质量总和为百分之百；步骤2：将混合好的浆料倒入模具中，待其在空气环境下自然干燥后，脱模后制得厚度约为2-3mm的金刚石预制体；所述模具的内表面涂刷脱模剂；步骤3：将金刚石预制体采用石墨夹具后，放入化学气相渗透炉CVI炉进行化学气相渗透制备得到Diamond/SiC复合材料；当Diamond/SiC复合材料表面出现SiC壳层后，将其表面的SiC壳层打磨掉后继续进行沉积，直至Diamond/SiC复合材料的密度达到约3.1g/cm3。
　　2.根据权利要求1所述大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所 述步骤1的球磨是：球磨滚筒速率为50-300r/min，时间为5-15h。
　　3.根据权利要求1所述大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所 述步骤3的CVI法生成SiC基体的工艺为：以三氯甲基硅烷MTS作为先驱体，氢 气作为载气，氩气作为稀释气体，其流率比为1:5～50:2～20，总气压为0.5～5kPa， 沉积温度为873～1773K。
　　4.根据权利要求1所述大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所 述金刚石粉料的粒径为50～500um。