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　　申请号：201510394176.4
　　申请人：哈尔滨工业大学
　　发明人：朱嘉琦 陈亚男 代兵 舒国阳 王强 王杨 孙明琪 高鸽

　　摘要：一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。 　　主权利要求：1.一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、加工硅片，得到具有通孔结构的多孔硅片，然后进行清洗，得到清洗后的硅片模版；二、将清洗后的硅片模板底部的均匀涂覆形核剂，得到样品，然后放于CVD舱内；三、关舱后，对舱体进行抽真空，使舱内真空度达到2.0×10-6～8.0×10-6mbar，然后开启程序，设定氢气流量为200sccm，舱内气压为10mbar，启动微波发生器，激活等离子体，升高气压和功率，使样品表面温度达到800～1000℃，再打开甲烷气体阀门，通入甲烷气体，并设定甲烷流量与氢气流量为1：(15～20)，反应25～60h；四、将样品从系统中取出，置于混合溶液A中将金刚石微米棒阵列膜从硅片模板上脱离下来，即完成；其中混合溶液A为质量浓度为40％的氢氟酸和质量浓度为65％的浓硝酸按体积比1:1混合而成。
　　2.根据权利要求1所述的一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于步骤一所述加工硅片的方法为激光刻蚀。
　　3.根据权利要求1所述的一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于步骤一所述的多孔硅片的孔为微米级。
　　4.根据权利要求1所述的一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于步骤二所述的形核剂为纳米金刚石悬浮液。
　　5.根据权利要求1所述的一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于步骤三所述的使舱内真空度达到3.5×10-6mbar。
　　6.根据权利要求1所述的一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于步骤三所述的升高气压和功率，使样品表面温度达到850℃。
　　7.根据权利要求1所述的一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于步骤三所述的甲烷流量与氢气流量为1：19。
　　8.根据权利要求1所述的一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，其特征在于步骤三所述的反应时间为30h。