名称一种制备碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法 _专利

名称一种制备碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法

关键词梯度材料|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称一种制备碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法公开号1364745公开日2002.08.21主分类号C04B3

名称	一种制备碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法
公开号	1364745	公开日	2002.08.21
主分类号	C04B35/56	分类号	C04B35/56;C04B35/64
申请号	01100449.5
分案原申请号		申请日	2001.01.12
颁证日		优先权
申请人	北京科技大学	地址	100083北京市海淀学院路30号
发明人	葛昌纯;曹文斌;沈卫平;李江涛;武安华	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	北京科大华谊专利代理事务所	代理人	刘月娥
摘要	本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B#-[4]C/C功能梯度材料的方法。特征在于：向低原子序数陶瓷－碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂，对于SiC/C FGM，采用活性碳粉和B粉作SiC的烧结助剂，SiC的烧结助剂B+C含量应在1－10wt％(重量百分比)，碳材料添加剂B的含量应在 1－10wt％。B#-[4]C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计，B#-[4]C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中，压力为15－50MPa、温度为1900℃－2200℃，保温1－3小时。优点在于：具有优良的耐高温等离子体冲刷，抗热冲击和耐化学溅射性能。

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