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官方微信摘要 名称钒不占主导的半绝缘碳化硅公开号1351680公开日2002.05.29主分类号C30B29/36
| 名称 | 钒不占主导的半绝缘碳化硅 | ||
| 公开号 | 1351680 | 公开日 | 2002.05.29 |
| 主分类号 | C30B29/36 | 分类号 | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/00 |
| 申请号 | 00807706.1 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 2000.05.17 | |
| 颁证日 | 优先权 | 1999.5.18__US_09/313,802 | |
| 申请人 | 克里公司 | 地址 | 美国北卡罗莱纳 |
| 发明人 | C·H·小卡特;M·布拉迪;V·F·茨维特科夫 | 国际申请 | PCT/US00/13557 2000.5.17 |
| 国际公布 | WO00/71787 英 2000.11.30 | 进入国家日期 | 2001.11.16 |
| 专利代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 摘要 | 公开了一个半绝缘碳化硅体单晶材料，在室温下其电阻率至少为 5000Ω－cm，其深能级陷阱元素的浓度比影响这个材料的电阻率的浓度值低，优选地比可检测浓度低，也公开了形成这个晶体的一个方法，和某些产生的器件，这些器件利用了使用根据本发明衬底而形成的微波频率能力。 | ||
豫公网安备41010202002335号