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官方微信摘要 名称单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备公开号1393907公开日2003.01.29主分类号H01L21/08&nb
| 名称 | 单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备 | ||
| 公开号 | 1393907 | 公开日 | 2003.01.29 |
| 主分类号 | H01L21/08 | 分类号 | H01L21/08;H01L21/283;H01L21/441;C30B29/36 |
| 申请号 | 02122817.5 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 2002.06.06 | |
| 颁证日 | 优先权 | [32]2001.6.6[33]JP[31]2001-171126 | |
| 申请人 | 大阪府;星电器制造株式会社 | 地址 | 日本大阪府 |
| 发明人 | 泉胜俊;中尾基;大林义昭;峯啓治 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 周承泽 |
| 摘要 | 一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1-G4的供气装置300、用于处理供给成膜室200的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2 的丙烷气体、作为载气G3的氢气和氧气G4的气体处理装置500和控制成膜室200 温度的温控装置400。 | ||
豫公网安备41010202002335号