用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法 _专利

用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法

关键词晶体生长 , 碳化硅表面|2010-12-22 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法公开号1050949公开日1991.04.24主分类号H01L21/205&nbs

名称	用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法
公开号	1050949	公开日	1991.04.24
主分类号	H01L21/205	分类号	H01L21/205;H01L21/306
申请号	90108281.3
分案原申请号		申请日	1990.10.11
颁证日		优先权	[32]1989.10.13[33]US[31]421375
申请人	克里研究公司	地址	美国北卡罗来纳州
发明人	约翰·Ｗ·帕穆尔; 华双·孔; 约翰·Ａ·爱德蒙	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利代理部	代理人	段承恩
摘要	本发明是在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本的平表面的方法，将基本的平表面暴露在腐蚀性等离子体中，直至任何因机械制备该表面而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除。然而,腐蚀是有限的，持续时间不超过在表面上等离子腐蚀发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所要的时间，同时采用等离子体气体和电极系统，它们本身不会在表面中恶化或者引起显著的缺陷。

① 凡本网注明"来源：超硬材料网"的所有作品，均为河南远发信息技术有限公司合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明"来源：超硬材料网"。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。

② 凡本网注明"来源：XXX（非超硬材料网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

③ 如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的，请在30日内进行。

※ 联系电话：0371-67667020