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　　申请（专利）号: CN200610001059.8
　　申请日: 2006.01.18
　　公开（公告）号: CN1807540
　　公开（公告）日: 2006.07.26
　　主分类号: C09K3/14(2006.01)I
　　分类号: C09K3/14(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)N
　　申请（专利权）人: 北京工业大学
　　地址: 100022北京市朝阳区平乐园100号
　　发明（设计）人: 聂祚仁;梅 燕;韩业斌;邹景霞;王艳丽
　　专利代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
　　代理人: 张 慧
　　
　　摘要:
　　本发明属于化学机械抛光领域。现有日本的几种抛光液产品主要为金刚石磨料的碱性溶液，由于其中磨粒粒径大小不均匀，不能很好的解决机械作用造成的损伤和应力的问题，无法达到光滑镜面的目的。本发明提供的一种有机碱腐蚀介质的稀土抛光液，包括磨料二氧化铈和腐蚀剂有机碱三乙醇胺，重量百分比含量为二氧化铈0.5％～5％、三乙醇胺为0.05～1.0％，其余为H2O。本发明的抛光液中还可包含0.25％～1.0％的氧化剂铁氰化钾。上述抛光液在加入氧化剂铁氰化钾还可同时加入重量百分含量为5％～15％过氧化氢。本发明的抛光液用于单晶硅片表面抛光，克服了使用现有抛光液中磨料硬度高造成的表面划伤和选择其他种类腐蚀介质带来的缺陷，获得了理想的光滑镜面抛光效果。