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　　目前，单晶硅切片采用金刚线切片已逐渐成为趋势。金刚线的特点是可以将硅片切的更薄且高效，金刚线切割速度是普通刚线的两倍，而且不需要特殊切割液，用水作为冷却液即可。而且金刚线的直径小，线损低，方便切割更薄的硅片。据悉，目前主流切割厚度为190±10 微米，随着电池技术的改进，更薄的硅片将成为主流趋势。

　　单晶硅棒因其晶格有序的特性，可以实现金刚线的规模应用，促进硅片薄片化，对应每瓦硅片的硅料耗量将更低。据悉，现在的单瓦硅消耗量4.3克左右，未来耗硅量将更低。中银国际预计，再加上非硅成本的改进，未来单晶硅片的成本下降速度快于多晶硅片，从而两者之间的价差亦进一步缩短。

　　此外，从金刚线设备的固定投资呈现逐年下降趋势，中银国际调研信息显示，目前成本仅为高峰期间的1/5左右。

　　而多晶硅制造成本的下降空间却极为有限。

　　据悉，多晶硅片的成本下降之路主要在于提高效率和铸锭尺寸，但是硅锭的尺寸并非越大越好，这需要综合考虑扩大的技术壁垒以及扩大后的经济效应。

　　此外，多家券商分析，单晶硅在转化效率方面存在更广阔的空间，转化效率将对成本产生重要影响，据测算，转换效率每提高一个百分点，将使太阳能电站的系统成本降低7%左右。

　　据悉，单晶硅电池效率的实验室世界纪录是24.7%，多晶硅电池实验室效率世界纪录是20.4%。目前，大规模工业化生产的单晶硅电池的光电转换效率在19%-20%，高效单晶（HIT）可达到23%-24%，而多晶体硅电池的光电转换效率在17%-18%。单晶电池片效率的提升空间大于多晶电池片。

　　据研究分析，“目前，多晶转化效率最高到18%，并且，多晶硅现在所有可以用的技术都用上了，还没有找到比较合适的方法进一步提高转换效率。”

　　中银国际的结论与长江证券相同，“多晶已经接近效率极限，但是单晶仍有较大发展空间。”