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　　国家实验室（位于伊利诺州的Argonne）的研究人员成功地开发了一种被命名为超纳米结晶膜的金刚石薄膜。此种薄膜技术预计将大大加速MEMS（微机电系统）技术的发展。此种薄膜将金刚石本质的优良机械性能，摩擦性能，和热性能（优异的硬度，耐磨损性，和极低的摩擦系数等）引入了迅猛发展的MEMS领域。
　　迄今为止，许多MEMS装置由于采用的硅材料，在耐久性和耐摩擦方面不够理想，因而不能胜任；现在由于超纳米结晶膜的出现，有望可以得到解决。例如，微型马达中的齿轮如果采用硅材料来做，由于转速必须接近每分钟400000转才能进行某些机械加工，不出几分钟，齿轮就将因磨损而失去作用。
　　超纳米结晶膜是采用Argonne的专利技术，化学气相淀积（CVD）方法生成的。薄膜呈现独立的金刚石结构，厚度约为100到300nm，摩擦系数可以低到0.01。CVD过程是在氩等离子体中，使fullerence圆球（由60个纯碳原子组成的球形分子），裂化成为双原子的碳分子（二聚物）。
　　在Argonne随后进行了其它方法的研究，也取得了同样的效果。它在氩等离子体中，引入甲烷，如果没有或很少有氢存在时，也可以产生同样的膜。例如在硅晶圆片上预先准备好微细的金刚石粉末，生成球形的等离子体使之包围晶圆片或其它材料。当碳二聚物在等离子体中的晶圆片上形成时，这些碳二聚物形成直径大约为3到5nm的结晶，并自动排列成薄膜。