在液体表面生长金刚石晶体的方法 _专利

在液体表面生长金刚石晶体的方法

关键词液体表面生长 , 金刚石晶体 , 方法 |2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称在液体表面生长金刚石晶体的方法公开号1215766公开日1999.05.05主分类号C30B29/04

名称	在液体表面生长金刚石晶体的方法
公开号	1215766	公开日	1999.05.05
主分类号	C30B29/04	分类号	C30B29/04
申请号	97119937.X
分案原申请号		申请日	1997.10.29
颁证日		优先权
申请人	方宝贤	地址	650091云南省昆明市121大街天君殿巷9幢501号
发明人	方宝贤	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	云南省专利事务所	代理人	张怡
摘要	本发明涉及到晶体生长，尤其是金刚石晶体的生长方法。本发明所述方法是用碳源在可防止氧化的气体里，在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。在本申请中，作为衬底的金属是与碳没有反应、不形成合金的，如Ge、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ等，也可以是它们的合金。本申请中，形成刚晶的温度范围为４００—１５００℃。用液态衬底的特点是改善目前生长金刚石晶体的结果而制造大单晶金刚石，特别做电子材料及光学材料。

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