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制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极

关键词 制备 , 类金刚石碳膜(DLC) , 用途 , 场致发射体阵列 , 场致发射体阴极 |2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源 中国超硬材料网
摘要 名称制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极公开号1166864公开日1997.12.03

 

名称 制备金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途场致发射体阵列以及场致发射体阴极 
公开号 1166864  公开日 1997.12.03   
主分类号 C23C16/26  分类号 C23C16/26 
申请号 96191316.9 
分案原申请号   申请日 1996.11.02   
颁证日   优先权 [32]1995.11.2[33]KR[31]1995/39256 
申请人 奥里翁电气株式会社    地址 韩国庆尚北道  
发明人 张震; 朴奎昶    国际申请 PCT.KR96/00192 96.11.2 
国际公布 WO97.16580 英 97.5.9  进入国家日期 1997.07.02  
专利代理机构 永新专利商标代理有限公司  代理人 甘玲   
摘要   本发明涉及一种用于形成基本不含氢的DLC层的方法,其中将厚度约为1— 100纳米的DLC层沉积在样品基底或场致发射体阵列的整个表面上,随后将其暴露在含氟气体的蚀刻等离子体中,其中在后一步骤中,含在基底中的氢通过与氟的化学蚀刻反应而被去除,其中重复形成该不含氢的DLC层的步骤,以得到预定厚度的DLC膜。
 

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