制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极 _专利

制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极

摘要名称制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极公开号1166864公开日1997.12.03

名称	制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极
公开号	1166864	公开日	1997.12.03
主分类号	C23C16/26	分类号	C23C16/26
申请号	96191316.9
分案原申请号		申请日	1996.11.02
颁证日		优先权	[32]1995.11.2[33]KR[31]1995/39256
申请人	奥里翁电气株式会社	地址	韩国庆尚北道
发明人	张震; 朴奎昶	国际申请	PCT.KR96/00192 96.11.2
国际公布	WO97.16580 英 97.5.9	进入国家日期	1997.07.02
专利代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	甘玲
摘要	本发明涉及一种用于形成基本不含氢的ＤＬＣ层的方法，其中将厚度约为１— １００纳米的ＤＬＣ层沉积在样品基底或场致发射体阵列的整个表面上，随后将其暴露在含氟气体的蚀刻等离子体中，其中在后一步骤中，含在基底中的氢通过与氟的化学蚀刻反应而被去除，其中重复形成该不含氢的ＤＬＣ层的步骤，以得到预定厚度的ＤＬＣ膜。

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