名称 | 制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极 | ||
公开号 | 1166864 | 公开日 | 1997.12.03 |
主分类号 | C23C16/26 | 分类号 | C23C16/26 |
申请号 | 96191316.9 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1996.11.02 | |
颁证日 | 优先权 | [32]1995.11.2[33]KR[31]1995/39256 | |
申请人 | 奥里翁电气株式会社 | 地址 | 韩国庆尚北道 |
发明人 | 张震; 朴奎昶 | 国际申请 | PCT.KR96/00192 96.11.2 |
国际公布 | WO97.16580 英 97.5.9 | 进入国家日期 | 1997.07.02 |
专利代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
摘要 | 本发明涉及一种用于形成基本不含氢的DLC层的方法,其中将厚度约为1— 100纳米的DLC层沉积在样品基底或场致发射体阵列的整个表面上,随后将其暴露在含氟气体的蚀刻等离子体中,其中在后一步骤中,含在基底中的氢通过与氟的化学蚀刻反应而被去除,其中重复形成该不含氢的DLC层的步骤,以得到预定厚度的DLC膜。 |