含金刚石膜的ＳＯＩ集成电路芯片材料及其制作工艺 _专利

含金刚石膜的ＳＯＩ集成电路芯片材料及其制作工艺

关键词金刚石膜 , ＳＯＩ , 其制作工艺 |2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称含金刚石膜的ＳＯＩ集成电路芯片材料及其制作工艺公开号1109518公开日1995.10.04主分类号C30B25

名称	含金刚石膜的ＳＯＩ集成电路芯片材料及其制作工艺
公开号	1109518	公开日	1995.10.04
主分类号	C30B25/00	分类号	C30B25/00;H01L21/02
申请号	94103623.5
分案原申请号		申请日
颁证日		优先权
申请人	吉林大学	地址	130023吉林省长春市解放大路83号
发明人	顾长志; 金曾孙; 吕宪义; 邹广田	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	吉林大学专利事务所	代理人	王恩远
摘要	本发明是含金刚石膜的ＳＯＩ集成电路芯片材料及制作工艺，其结构按顺序为单晶硅薄层（３）、ＳｉＯ#-[２]过渡层(5)、金刚石膜(2)、多晶硅(4)。其工艺是在单晶硅片上逐层生长ＳｉＯ#-[2]过渡层，金刚石膜和多晶硅，再对单晶硅片进行减薄处理。生长金刚石膜是以丙酮为原料气体，减薄是机械抛光后使用离子束溅射技术。本发明不经高温区熔，工艺简单，可防止氧及杂质渗入，单晶硅薄层质量好；制作的集成电路具有抗辐射能力强、漏电小、性能稳定、界面态密度低等优点。

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