名称 | 用碳化硅与金属合成金刚石的方法 | ||
公开号 | 1105903 | 公开日 | 1995.08.02 |
主分类号 | B01J3/06 | 分类号 | B01J3/06 |
申请号 | 94111620.4 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1994.01.24 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 成都科技大学 | 地址 | 610065四川省成都市磨子桥 |
发明人 | 洪时明 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 成都科技大学专利代理事务所 | 代理人 | 黄幼陵 |
摘要 | 一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法。以SiC为碳源;以纯金属Cr、Mn、Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ta、Co基合金,Al基合金,Ti基合金,Mn基合金,Ni基合金,Fe基合金,IB族元素与4A、5A、6A族元素和4A、5A、6A族元素的碳化物之间的2元合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒;采用旁热式粉末混合或积层接触工艺,压力为3~5.5GPa,温度为600° ~1500℃,保温时间为5秒~20分钟。 |