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官方微信摘要 名称在低熔点衬底上淀积金刚石状碳膜的方法公开号1064710公开日1992.09.23主分类号C23C14/30&n
| 名称 | 在低熔点衬底上淀积金刚石状碳膜的方法 | ||
| 公开号 | 1064710 | 公开日 | 1992.09.23 |
| 主分类号 | C23C14/30 | 分类号 | C23C14/30;C23C14/06;G02B1/10;G02B1/04 |
| 申请号 | 91101620.1 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1991.03.13 | |
| 颁证日 | 优先权 | ||
| 申请人 | 博士伦有限公司 | 地址 | 美国纽约州 |
| 发明人 | 迈克尔·J·坎博 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌; 曹济洪 |
| 摘要 | 在充有选择性腐蚀气体（例如氢）的真空度不同的小室中用经电子束蒸发的固体碳源在绝缘衬底上淀 积金刚石状碳膜，以便使衬底的温度维持在１５０℃ 以下。为了用带正电的离子轰击衬底同时防止排斥性表面电荷聚集，往夹持衬底的旋转夹具上加一个射频电场。抽成不同真空度的小室保持小室一端固体碳源周围的环境压强使其低得足以防止电子束能量损耗，并使碳得以蒸发，同时保持小室另一端的衬底使其处于较高的压强，从而使射频电场得以激活衬底周围的离子气体等离子体，以便淀积金刚石状碳膜。 | ||
豫公网安备41010202002335号