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官方微信摘要 名称一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层的方法公开号1379000公开日2002.11.13主分类号C04B41/8
| 名称 | 一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层的方法 | ||
| 公开号 | 1379000 | 公开日 | 2002.11.13 |
| 主分类号 | C04B41/81 | 分类号 | C04B41/81;C04B41/87 |
| 申请号 | 02109468.3 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 2002.04.12 | |
| 颁证日 | 优先权 | ||
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 地址 | 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |
| 发明人 | 张亚明;李美栓;刘光明;周延春 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 沈阳科苑专利代理有限责任公司 | 代理人 | 许宗富;周秀梅 |
| 摘要 | 本发明属于表面工程技术，具体是一种在钛碳化硅(Ti#-[3]SiC#-[2])材料表面制备硅化物涂层的方法，渗料由硅粉、氧化铝粉、氟硅酸钾、氟化钠固体粉末混合物组成，Ti#-[3]SiC#-[2]材料用渗料包埋后在1000～1200℃保温2～8小时进行热扩散处理。所获得的涂层由二硅化钛(TiSi#-[2])和碳化硅(SiC)两相组成，厚度为10～60微米。涂层在1000～1200℃空气中氧化后主要形成SiO#-[2] 膜，恒温氧化的抛物线速度常数相比Ti#-[3]SiC#-[2]材料降低了2～3个数量级，应用本发明可使Ti#-[3]SiC#-[2]材料应用于高温腐蚀性环境中。 | ||
豫公网安备41010202002335号