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采用碳化硅进行的红外辐射检测

关键词 红外辐射检测 |2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源 中国超硬材料网
摘要 名称采用碳化硅进行的红外辐射检测公开号1351763公开日2002.05.29主分类号H01L31/0312&nbs

 

名称 采用碳化硅进行的红外辐射检测 
公开号 1351763  公开日 2002.05.29   
主分类号 H01L31/0312  分类号 H01L31/0312 
申请号 00807852.1   
分案原申请号   申请日 2000.03.20   
颁证日   优先权 1999.5.21__US_09/316,239 
申请人 海特朗股份有限公司    地址 美国内华达州  
发明人 J·D·帕森斯    国际申请 PCT/US00/07557 2000.3.20 
国际公布 WO00/72385 英 2000.11.30  进入国家日期 2001.11.21  
专利代理机构 上海专利商标事务所    代理人 李家麟   
摘要   将最好为单晶形式的碳化硅(6)用作具有高温和高功率性能的红外辐射探测器。其应用包括探测来自获取辐射源(2)的功率或能量。
 

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