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官方微信摘要 名称碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及W/WC/TiC欧姆接触公开号1216635公开日1999.05.12主分类号
| 名称 | 碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及W/WC/TiC欧姆接触 | ||
| 公开号 | 1216635 | 公开日 | 1999.05.12 |
| 主分类号 | H01L21/283 | 分类号 | H01L21/283 |
| 申请号 | 97193978.0 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1997.03.04 | |
| 颁证日 | 优先权 | [32]1996.3.7[33]US[31]08/612,216 | |
| 申请人 | 3C半导体公司 | 地址 | 美国俄勒冈州 |
| 发明人 | 詹姆斯·D·帕森斯 | 国际申请 | PCT/US97/03497 97.3.4 |
| 国际公布 | WO97/33308 英 97.9.12 | 进入国家日期 | 1998.10.21 |
| 专利代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 摘要 | ＳiＣ上的金属锇（β或γ）形成一接触。该接触牢牢地固定在ＳiＣ表面上，并形成一有效阻挡，以防止来自导电金属的扩散。在n－型ＳiＣ（１２）上，Ｏs（２０）形成一陡变肖特基整流结和肖特基二极管，前者具有到至少１０５０℃下仍保持不变的操作性能，后者到１１７５℃下仍可操作，并且阻挡高度大于１．５eＶ。在Ｐ－型ＳiＣ上，Ｏs形成一具体接触电阻小于１０#+[－４] ohm·cm#+[２]的欧姆接触。与ＳiＣ基底（１２）上的ＴiＣ层（３０）的欧姆肖特基接触是通过在ＴiＣ层（３０）上沉积一ＷＣ层（３２），接着沉积一Ｗ层（３４）而形成的。这种接触到至少１１５０℃下仍保持稳定。电极（３８）要么直接要么通过保护连接层（３６）（如Ｐt或ＰtＡu合金）来与接触连接。 | ||
豫公网安备41010202002335号