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       美国时间1月4日，工程材料和通信器件领导者II-VI公司宣布，一项应用在5G无线通信领域的硅薄膜金刚石技术获得突破，这项成果是在与美国南佛罗里达州大学 (USF)的联合研究中获得。

       如今，移动通信设备商正计划用5G无线技术来提高他们的高速宽带服务，比起现有技术所能达到的性能，大带宽和高功率器件的需求将更加急迫。II-VI公司和USF联合研究完成了项目的第一阶段，这个研究项目最早于2016年6月启动，旨在希望通过使用硅薄膜金刚石技术来发展一种新技术平台，让下一代高速电子器件能够运用在5G手机中。

       II-VI公司平台技术发展孵化部门总经理Dr. Wen-Qing Xu表示：“尽管II-VI公司是工程材料和通信薄膜技术的领导者，但我们与USF的合作将加快技术的创新，帮助我们在5G无线器件市场爆发前做好充分准备。”

       据了解，II-VI公司和USF的合作研究获得来自佛罗里达高新通路委员会MGRP的补助支持，研究将关注原型器件的特点和器件设计、建模与制造。

       佛罗里达州电子工程学院副教授Dr. Jing Wang表示：“通过这项合作研究，USF的研究团队可以提升在微机电硅薄膜金刚石领域的专业度，同时可以快速向II-VI公司提供技术方案。MGRP对本项目的支持，也是近年来十多个项目之一。”

       对II-VI公司来说，新硅薄膜金刚石技术平台将完善该公司在高速无线应用领域GaAs和SiC工程材料的产品组合。