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　　日本产业技术综合研究所开发出了用金刚石作半导体的深紫外LED。详细内容将在应用物理学会举办的09年春季的“第56届应用物理学联合演讲会”（3月30日～4月2日，筑波大学）上发布（演讲序号：1p-TC-9～10）。
　　
　　此次开发的深紫外LED采用在2mm见方的金刚石底板上层叠p-i-n结构金刚石半导体的设计。采用发光波长为235nm深紫外线。注入 320mA电流时的输出功率为30μW。“目前已接近实用水平”（产综研能源技术研究部门主要研究员、筑波大学数理物质化学研究科教授山崎聪）。
　　
　　据产综研透露，该LED具有两大特点：（1）即使接通大电流发光效率仍继续增加，（2）耐高温。比如即使通过直径为120μm的电极接通电流 密度超过2000A/cm2的电流，发光效率也不会达到饱和，而是继续升高。目前，使用竞争材料AlGaN类半导体的深紫外LED的工作电流密度最大约为 500A/cm2。
　　
　　耐高温方面，即使将温度从室温提高到420℃，发光强度也不减弱，而是继续增强。金刚石LED与普通LED不同，用“激子 （exciton）”的产生作发光原理。激子是类似粒子一样运动的电子·空穴对。不过，一般情况下并不耐热，大部分激子很快就会破裂。而金刚石LED产生 的激子“非常稳定，即使在600℃的温度下也不破裂”（产综研能源技术研究部门电力能源基础部特别研究员牧野俊晴）。这就是耐高温的原因。
　　
　　不久将实现大幅的成本降低
　　
　　此前，用作金刚石LED底板的金刚石价格非常高，而且只能得到数mm见方的金刚石底板，无法达到实用化水平。对此牧野等表示：“目前正在开发 在硅晶圆上层叠多结晶金刚石半导体膜的技术。效率也只比此次开发的LED低1位数。由于采用硅和甲烷等极为常见的材料，所以投入实用的话，能以非常低的成 本制造金刚石LED”。

　　日本产综研开发的金刚石LED的发光演示。可见光不是本来的紫外线，而是利用棱角缺陷等产生的可视光。采用实际强度（单位波长）约为可视光20倍的深紫外线。