摘要 名称采用金刚石覆层的场致发射电子源及其制造方法公开号1069826公开日1993.03.10主分类号H01J1/30
名称 | 采用金刚石覆层的场致发射电子源及其制造方法 | ||
公开号 | 1069826 | 公开日 | 1993.03.10 |
主分类号 | H01J1/30 | 分类号 | H01J1/30;H01J9/02 |
申请号 | 92105465.3 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1992.07.06 | |
颁证日 | 优先权 | [32]1991.8.20[33]US[31]747,563 | |
申请人 | 莫托罗拉公司 | 地址 | 美国伊里诺斯 |
发明人 | 詹姆斯·E·杰斯克; 罗伯特·C·肯尼 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 范本国 |
摘要 | 本发明为一场致发射电子装置,该装置采用了一个包括一个金刚石材料覆层的电子发射器,上述的金刚石覆层位于有选择地形成的导电/半导体电极(402)的表面上。本发明还涉及形成该装置的方法,该方法包括将碳离子植入导体半导体电极的一个表面使之在金刚石形成时得到成核点的作用这一步骤。 |