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　　申请号：201280068522.4

       申请人：六号元素技术有限公司

       摘要： 本发明涉及一种多晶化学气相沉积的(CVD)金刚石晶圆，其包括：最大线性尺寸等于或大于70mm；厚度等于或大于1.3mm；以及在室温(标称的298K)下测量的、多晶CVD金刚石晶圆的至少中心区域上的以下特征中的一个或两个：在10.6μm下吸收系数≤0.2cm-1；和在145GHz下介电损失系数为tanδ≤2×10-4，所述中心区域是圆形的，以多晶CVD金刚石晶圆的中心点为中心，并且具有的直径为多晶CVD金刚石晶圆的最大线性尺寸的至少70％。

       主权利要求：1.一种多晶化学气相沉积的(CVD)金刚石晶圆，其包括：最大线性尺寸等于或大于70mm；厚度等于或大于1.3mm；以及在室温(标称的298K)下测量的、多晶CVD金刚石晶圆的至少中心区域上的以下特征中的一个或两个：在10.6μm下吸收系数≤0.2cm-1；和在145GHz下介电损失系数为tanδ≤2×10-4，所述中心区域是圆形的，以多晶CVD金刚石晶圆的中心点为中心，并且具有的直径为多晶CVD金刚石晶圆的最大线性尺寸的至少70％。

       2.根据权利要求1所述的多晶CVD金刚石晶圆，其中多晶CVD 金刚石晶圆还包括在至少中心区域上的以下特征中的一个或多个： 在拉伸情况下的多晶CVD金刚石晶圆的成核面的拉伸断裂强度： 在厚度为200至500μm时≥760MPa×n；在厚度为500至750μm时 ≥700MPa×n；在厚度为750至1000μm时≥650MPa×n；在厚度为1000 至1250μm时≥600MPa×n；在厚度为1250至1500μm时≥550MPa×n； 在厚度为1500至1750μm时≥500MPa×n；在厚度为1750至2000μm 时≥450MPa×n；或在厚度≥2000μm时≥400MPa×n，其中乘数n为 1.0，1.1，1.2，1.4，1.6，1.8，或2； 在拉伸情况下的多晶CVD金刚石晶圆的生长面的拉伸断裂强度： 在厚度为200至500μm时≥330MPa×n；在厚度为500至750μm时 ≥300MPa×n；在厚度为750至1000μm时≥275MPa×n；在厚度为1000 至1250μm时≥250MPa×n；在厚度为1250至1500μm时≥225MPa×n； 在厚度为1500至1750μm时≥200MPa×n；在厚度为1750至2000μm 时≥175MPa×n；或在厚度≥2000μm时≥150MPa×n，其中乘数n为 1.0，1.1，1.2，1.4，1.6，1.8，或2； 表面平整度≤5μm，≤4μm，≤3μm，≤2μm，≤1μm，≤0.5μm，≤0.2μm， 或≤0.1μm。

       3.根据权利要求1或2所述的多晶CVD金刚石晶圆，其中多晶 CVD金刚石晶圆还包括在至少中心区域上的以下特征中的一个或多 个： 平均黑斑密度不大于1mm-2，0.5mm-2，或0.1mm-2； 黑斑分布使得在任何3mm2的区域中具有不超过4，3，2，或1 个黑斑； 当在范围为2760cm-1至3030cm-1的修正的线性背景下测量时，每 单位厚度的综合吸光度不超过0.20cm-2，0.15cm-2，0.10cm-2，或 0.05cm-2； 导热率不小于1900Wm-1K-1，2000Wm-1K-1，2100Wm-1K-1，或 2200Wm-1K-1； 对于厚度为0.7mm的样本，在10.6μm下，在前向半球中的总的 综合散射不超过1％，0.5％，或0.1％，其中前表面和后表面被抛光到 小于15nm的均方根粗糙度；以及 次级离子质谱仪测量的硅浓度不超过1017cm-3，5×1016cm-3， 1016cm-3，5×1015cm-3，或1015cm-3。

       4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆， 其中多晶CVD金刚石晶圆包括所述特征中的两个、三个、四个、五 个、六个、七个、八个、九个、十个或全部十一个特征。

       5.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆，其 中最大线性尺寸等于或大于80mm，90mm，100mm，110mm，120mm， 125mm，130mm，135mm，或140mm。

       6.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆，其 中所述中心区域的直径为所述最大线性尺寸的至少75％，80％，85％， 90％，95％，或99％。

       7.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆，其 中多晶CVD金刚石晶圆包括等于或大于70mm，80mm，90mm， 100mm，110mm，或120mm的至少两个正交的线性尺寸。

       8.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆，其 中所述厚度等于或大于1.5mm，1.7mm，1.8mm，1.9mm，2.0mm， 2.2mm，2.5mm，2.75mm，或3.0mm。

       9.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆，其 中在室温下测量的吸收系数在10.6μm下为≤0.1cm-1或≤0.05cm-1。

       10.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆， 其中在室温下测量的介电损失系数tanδ在145GHz下为≤10-4，≤5× 10-5，≤10-5，≤5×10-6，或≤10-6。

       11.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆， 其中多晶CVD金刚石晶圆具有氧封端的表面。

       12.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆， 其中多晶CVD金刚石晶圆的表面粗糙度不超过200nm，150nm， 100nm，80nm，60nm，或40nm。

       13.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆， 其中在多晶CVD金刚石晶圆的表面中或表面上形成有抗反射的或衍 射的结构。

       14.根据前述权利要求中任一项所述的多晶CVD金刚石晶圆， 其中晶圆为透镜的形式，并且其中所述透镜的至少最厚部分的厚度等 于或大于1.3mm，1.5mm，1.7mm，1.8mm，1.9mm，2.0mm，2.2mm， 2.5mm，2.75mm，或3.0mm。

       15.根据权利要求14所述的多晶CVD金刚石晶圆，其中所述透 镜为单凸透镜或双凸透镜。