名称 | 超细氮化硅微粉气相合成新工艺 | ||
公开号 | 1280955 | 公开日 | 2001.01.24 |
主分类号 | C01B21/068 | 分类号 | C01B21/068 |
申请号 | 99109605.3 | ||
分案原申请号 | 申请日 | ||
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 刘庆昌 | 地址 | 050011河北省石家庄市建设南大街24号 |
发明人 | 刘庆昌 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 河北省专利事务所 | 代理人 | 王苑祥 |
摘要 | 本发明是一种制备超细氮化硅微粉的气相合成新工艺,新工艺中采取直流等离子弧为热源的密闭反应容器中完成气相合成,所采用的基料为四氯化硅和氨,两者按1∶1.5—1.9比例(单位时间内注入液态重量比)注入反应器,在反应器内完成气相合成,并借助自由沉降过程中淬冷直接变成固态微粉,反应器内借助调控等离子体发生器输功率和N#-[2]、H#-[2]比例稳定离子弧,并保持反应温度在1000℃—1500℃之间,经淬冷细化的微粉经加热后处理去除氯化物杂质生成高纯度纳米级的Si#-[3]N#-[4]微粉。 |