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　　申请号：201280068219.4

       申请人：六号元素技术有限公司

       摘要： 一种单晶CVD合成金刚石材料，其包括：大于或等于5ppm的总生成态氮浓度，和均匀分布的缺陷，其中，所述均匀分布的缺陷通过下列特性中的一种或多种限定：(i)当通过次级离子质谱法(SIMS)在大于或等于50×50μm的区域上使用10μm或更小的分析区域进行映象时，总氮浓度拥有的逐点变化(point-to-pointvariation)小于平均总氮浓度值的30％，或者当通过SIMS在大于或等于200×200μm的区域上使用60μm或更小的分析区域进行映象时，总氮浓度拥有的逐点变化小于平均总氮浓度值的30％；(ii)使用77K紫外光-可见光吸收测量法测量的生成态氮空位缺陷(NV)浓度大于或等于50ppb，其中，氮空位缺陷均匀分布在合成单晶CVD金刚石材料中，使得当使用采用了50mW连续波激光器、在室温下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发，并且在大于或等于50×50μm的区域上用小于10μm的数据区间进行映象时，存在较低的逐点变化，其中，对于575nm的光致发光峰值(NV0)或者637nm的光致发光峰值(NV-)来说，高光致发光强度的区域与低光致发光强度的区域之间的氮空位光致发光峰值的强度面积比＆amp;lt;2x；(iii)当使用采用了50mW连续波激光器、在室温下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发(在552.4nm下得到Raman峰值)，并且在大于或等于50×50μm的区域上用小于10μm的数据区间进行映象时，Raman强度的变化使得存在较低的逐点变化，其中，低Raman强度的区域与高Raman强度的区域之间的Raman峰值面积比＆amp;lt;1.25x；(iv)使用77K紫外光-可见光吸收测量法测量的生成态氮空位缺陷(NV)浓度大于或等于50ppb，其中，当使用采用了50mW连续波激光器、在77K温度下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发时，在对应于NV0的575nm下给出比在552.4nm下的Raman强度的120倍更大的强度，和/或在对应于NV-的637nm下给出比在552.4nm下的Raman强度的200倍更大的强度；(v)单原子替代氮缺陷(Ns)浓度大于或等于5ppm，其中，单原子替代氮缺陷均匀分布在合成单晶CVD金刚石材料中，使得通过使用1344cm-1红外吸收特征并对面积大于0.5mm2的区域采样，根据标准偏差除以平均值推导出的变化小于80％；(vi)由标准偏差除以平均值定义的红光发光强度的变化小于15％；(vii)中性单原子替代氮浓度的平均标准偏差小于80％；以及(viii)利用由平均灰度值大于50的显微图像得出的直方图测量的颜色强度，其中，所述颜色强度在单晶CVD合成金刚石材料中是均匀的，使得以灰度值标准偏差除以灰度值平均值为特征的灰度色的变化小于40％。

       主权利要求 1.一种单晶CVD合成金刚石材料，其包括：大于或等于5ppm的总生成态氮浓度，和均匀分布的缺陷，其中，所述均匀分布的缺陷通过下列特性中的一种或多种限定：(i)当通过次级离子质谱法(SIMS)在大于或等于50×50μm的区域上使用10μm或更小的分析区域进行映象时，总氮浓度拥有的逐点变化(point-to-pointvariation)小于平均总氮浓度值的30％，或者当通过SIMS在大于或等于200×200μm的区域上使用60μm或更小的分析区域进行映象时，总氮浓度拥有的逐点变化小于平均总氮浓度值的30％；(ii)使用77K紫外光-可见光吸收测量法测量的生成态氮空位缺陷(NV)浓度大于或等于50ppb，其中，氮空位缺陷均匀分布在整个整个合成单晶CVD金刚石材料中，使得当使用采用了50mW连续波激光器、在室温下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发，并且在大于或等于50×50μm的区域上用小于10μm的数据区间进行映象时，存在较低的逐点变化，其中，对于575nm的光致发光峰值(NV0)或者637nm的光致发光峰值(NV-)来说，高光致发光强度的区域与低光致发光强度的区域之间的氮空位光致发光峰值的强度面积比＆lt;2x；(iii)当使用采用了50mW连续波激光器、在室温下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发(在552.4nm下得到Raman峰值)，并且在大于或等于50×50μm的区域上用小于10μm的数据区间进行映象时，Raman强度的变化使得存在较低的逐点变化，其中，低Raman强度的区域与高Raman强度的区域之间的Raman峰值面积比＆lt;1.25x；(iv)使用77K紫外光-可见光吸收测量法测量的生成态氮空位缺陷(NV)浓度大于或等于50ppb，其中，当使用采用了50mW连续波激光器、在77K温度下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发时，在对应于NV0的575nm下给出比在552.4nm下的Raman强度的120倍更大的强度，和/或在对应于NV-的637nm下给出比在552.4nm下的Raman强度的200倍更大的强度；(v)单原子替代氮缺陷(Ns)浓度大于或等于5ppm，其中，单原子替代氮缺陷均匀分布在整个合成单晶CVD金刚石材料中，使得通过使用1344cm-1红外吸收特征并对面积大于0.5mm2的区域采样，根据标准偏差除以平均值推导出的变化小于80％；(vi)由标准偏差除以平均值定义的红光发光强度的变化小于15％；(vii)中性单原子替代氮浓度的平均标准偏差小于80％；以及(viii)利用由平均灰度值大于50的显微图像得出的直方图测量的颜色强度，其中，所述颜色强度在整个单晶CVD合成金刚石材料中是均匀的，使得以灰度值标准偏差除以灰度值平均值为特征的灰度色的变化小于40％。

       2.如权利要求1所述的单晶CVD合成金刚石材料，其中，所述 单晶CVD合成金刚石材料包括所述特性中的两种、三种、四种、五 种、六种、七种或全部八种。

       3.如权利要求1或2所述的单晶CVD合成金刚石材料，其中， 当通过次级离子质谱法(SIMS)在大于或等于50×50μm的区域上用 定义为10μm或更小的分析区域进行映象时，总氮浓度拥有的逐点变 化小于平均氮浓度值的25％、20％、15％、10％、5％、3％、或1％。

       4.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石材 料，其中，当在大于或等于50×50μm的区域上用定义为10μm或更 小的分析区域进行映象时，来自氮空位缺陷的发光拥有逐点变化，使 得高PL强度的区域和低PL强度的区域之间的强度比小于1.8、1.6、 1.4、或1.2。

       5.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石材 料，其中，在575nm下的NV0发光大于在552.4nm下的Raman强度 的140倍、160倍、或180倍，和/或在637nm下的NV-发光大于在 552.4nm下的Raman强度的220倍、240倍、或260倍；

       6.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石材 料，单原子替代氮缺陷均匀分布在整个合成单晶CVD金刚石材料中， 使得通过使用来自单原子替代氮缺陷的1344cm-1红外吸收特征并对面 积大于0.5mm2的区域采样，根据标准偏差除以平均值推导出的变化 小于60％、40％、20％、或10％。

       7.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石材 料，其中，红色发光的变化小于10％、8％、6％、或4％。

       8.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石材 料，其中，中性单原子替代氮浓度的平均标准偏差小于60％、40％、 20％、或10％。

       9.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石材 料，其中，当在大于或等于200×200×200μm的体积上成像时，颜色 强度拥有的逐点变化小于由灰度值标准偏差除以灰度值平均值定义的 平均颜色强度的30％、20％、10％、或5％。

       10.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，其中，总氮浓度大于或等于7ppm、10ppm、15ppm、20ppm、 30ppm、50ppm、75ppm、100ppm、150ppm、200ppm、或300ppm。

       11.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，其中，单原子替代氮缺陷(Ns)浓度大于或等于5ppm、7ppm、 10ppm、15ppm、20ppm、30ppm、50ppm、75ppm、100ppm、150ppm、 200ppm、或300ppm。

       12.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，其中，生成态氮空位缺陷(NV-)浓度大于或等于120ppb、 140ppb、160ppb、180ppb、200ppb、250ppb、300ppb、400ppb、500ppb、 1000ppb、或5000ppb。

       13.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，具有的硅浓度小于或等于1×1015原子cm-3。

       14.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，其中，所述单晶CVD合成金刚石材料具有的最长尺寸大于或 等于200μm、500μm、1mm、1.5mm、2.0mm、3.0mm、或5.0mm。

       15.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，具有的体积大于或等于0.01mm3、0.05mm3、0.1mm3、0.5mm3、 1.0mm3、3.0mm3、6.0mm3、9.0mm3、或15.0mm3，所述一种或多种 特性在该体积中成立。

       16.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，其中，所述单晶CVD合成金刚石材料为厚度小于200μm、 100μm、50μm、20μm、10μm、5μm、2μm、或1μm的层的形式。

       17.如权利要求1到15中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚 石材料，其中，所述单晶CVD合成金刚石材料为厚度大于200μm、 500μm、1mm、1.5mm、2.0mm、3.0mm、或5.0mm的层的形式。

       18.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，具有的错位晶束密度小于或等于：106错位cm-2、104错位cm-2、 3×103错位cm-2、103错位cm-2、102错位cm-2、或10错位cm-2。

       19.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，具有的双折射率小于或等于5×10-5、1×10-5、5×10-6、或1× 10-6；

       20.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，其已经进行退火和/或照射。

       21.如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD合成金刚石 材料，其中，所述单晶CVD合成金刚石材料具有下列颜色中的一种 或多种：粉红色，黄色，绿色，橙色，红色，紫色。

       22.一种制造如前述权利要求中的任意一项所述的单晶CVD金 刚石材料的方法，所述方法包括： 形成包括氢气、碳源气体、氮源气体和可选的氧源气体的CVD 合成氛围，其中，所述CVD合成氛围包括的氮相对于全部气体组分 的原子浓度的范围为0.1％到3％； 在安装于支撑基底上的单晶金刚石基底上生长单晶CVD金刚石 材料；并且 控制支撑基底的温度，使得在生长过程中支撑基底上任意给定点 处的温度变化小于50℃的目标温度值，整个生长周期的温度变化小于 50℃的目标温度值，且目标温度值处于1000℃到1400℃的范围内， 其中CVD合成氛围包括以下的至少一种： 碳相对于全部气体组分的原子浓度的范围为0.1％到2.0％；和 氧相对于全部气体组分的原子浓度的范围为5％到40％。

       23.如权利要求22所述的方法，其中，氮相对于全部气体组分的 原子浓度的范围为0.1％到2％、0.1％到1％、或0.2％到0.8％。

       24.如权利要求22或23所述的方法，其中，碳相对于全部气体 组分的原子浓度的范围为0.3％到1.7％、0.5％到1.5％、0.7％到1.3％、 或0.8％到1.2％。

       25.如权利要求22-24中的任意一项所述的方法，其中，不向CVD 合成氛围中添加氧源气体。

       26.如权利要求22-24中的任意一项所述的方法，其中，向CVD 合成氛围中添加氧源气体，使得CVD合成氛围包括的氧的原子浓度 的范围为5％到40％、10％到30％、10％到25％、或15％到20％。

       27.如权利要求22-26中的任意一项所述的方法，其中，单晶金 刚石基底通过钎焊合金安装到支撑基底上，所述钎焊合金的熔点大于 或等于1000℃、1100℃、1200℃、1300℃、或1400℃。

       28.如权利要求22-27中的任意一项所述的方法，其中，支撑基 底包括难熔金属。

       29.如权利要求22-28中的任意一项所述的方法，其中，跨越支 撑基底的温度变化小于40℃、30℃、20℃、10℃或5℃。

       30.如权利要求22-29中的任意一项所述的方法，其中，跨越单 晶金刚石基底的温度变化小于50℃、40℃、30℃、20℃、10℃或5℃。

       31.如权利要求22-30中的任意一项所述的方法，其中，单晶金 刚石基底通过熔点低于目标温度的钎焊合金安装到支撑基底上，所述 目标温度用于在单晶金刚石基底上生长单晶CVD金刚石材料，使得 在单晶CVD金刚石材料的生长期间，钎焊合金处于液态。